三星电子在 EUV 曝光技术取得重大进展，星曝韩媒 Business Korea 报导，光技三星电子 DS 部门研究员 Kang Young-seok 表示，进展三星使用的星曝 EUV 光罩护膜（EUV pellicles）透光率（transmission rate）已达 90%，计划再提高至 94-96%。光技

EUV 光罩护膜（Pellicle）是进展光罩上的薄膜，保护光罩免于微尘或挥发性气体的星曝污染，使 EUV 顺利传输。光技光罩护膜也是进展 EUV 曝光时的关键零件，目的星曝是增加芯片生产良率，减少光罩使用时的光技清洁和检验。

三星今年初声称已开发出透光率达 88% 的进展 EUV 光罩护膜，且这款产品已经可以量产，星曝而 Kang 表示三星 EUV 护膜透光率再度增加，光技达到 90%。进展其中，透光率 90% 的意思是只有 90% 进入薄膜的光线能到达光罩，这可能会影响电路图案的精度。这比更常见的氟化氩（ArF）制程中使用的薄膜透光率（99.3%）还低。

当 EUV 光罩护膜在 250 瓦光源下操作时，每平方公分会产生的 5 瓦热量，导致温度高达 680℃ 以上，因此除了降低光源衰退外，还必须解决光罩护膜在 EUV 过程中遇到的翘曲或断裂等散热问题。

据报导，三星已主要客户的部分先进 EUV 代工生产在线导入 EUV 光罩护膜。虽然三星也在 DRAM生产线中采用 EUV 制程，但考虑到生产率和成本，该公司认为即使没有光罩护膜也可以进行内存量产。

EUV 光罩护膜目前有艾司摩尔（ASML）、三井化学（Mitsui Chemicals）、信越化学、S&S Tech、FST 等业者跨足，但据 Kang 透露，三星并没有使用韩国国内供货商提供的 EUV 光罩护膜，而是与日本三井化学合作，为唯一供货商。

虽然 FST 和 S&STech 等韩国公司正积极开发 EUV 光罩护膜，但还没实现量产。相比之下，台积电早在 2019 年开始使用自行开发的光罩护膜，并已在 7 奈米以下制程的生产线使用。